| 一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法 | |
| Application Number | CN201510524097.0 |
| 封国强; 马英起; 韩建伟; 上官士鹏; 朱翔; 陈睿 | |
| 2015-08-24 | |
| Classification | G01n21/17(2006.01)i |
| Country | 中国 |
| Abstract | 本发明提供了一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法，包括：步骤1)测量半导体器件材料被测位置的厚度d及反射率R；步骤2)利用能量计分别测量照射于被测位置一面的光能量E1和经被测位置另一面穿透的光能量E2后，计算获得经被测位置一面反射后入射至材料内的光能量E0＝E1(1-R)，和穿透至被测位置另一面反射前的光能量E＝E2/(1-R)；步骤3)利用公式E＝E0e-αd计算得到材料的吸收系数α。利用该光学测量方法能够实现材料吸收系数的现场原位测量，降低了测量成本。 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5247 |
| Collection | 保障部/保障与试验验证中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 封国强,马英起,韩建伟,等. 一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法[P]. 2015-08-24. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2015105240970.pdf（665KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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