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一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法
Application Number

CN201510523492.7

封国强; 马英起; 韩建伟; 上官士鹏; 朱翔; 陈睿
2015-08-24
ClassificationG01b11/06(2006.01)i
Country中国
Abstract

本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法,首先,通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件;垂直移动半导体器件,调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面,使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像,然后记录两个位置的高度h2和高度h1;最后,利用公式h=n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h,n表示半导体器件的材料折射率,ΔZ=h1-h2。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理,测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处,得出聚焦光束定位距离ΔZ,从而计算得到被测材料的厚度h,无需增加膜厚测量设备,即可实现材料厚度的现场原位测量,降低了测量成本。

Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5248
Collection保障部/保障与试验验证中心
Recommended Citation
GB/T 7714
封国强,马英起,韩建伟,等. 一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法[P]. 2015-08-24.
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